PMGD780SN,115 دیتاشیت

PMGD780SN,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMGD780SN,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMGD780SN,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMGD780SN,115
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 410mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.05nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 23pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 490mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 920mΩ@10V,300mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه